GaN on SiCトランジスタ市場：グローバル予測2025年-2031年

staff 2024年5月31日 IT/電子

1 当調査分析レポートの紹介
・GaN on SiCトランジスタ市場の定義
・市場セグメント
　　タイプ別：小型パワートランジスタ、大型パワートランジスタ
　　用途別：RFデバイス、パワーディスクリートデバイス
・世界のGaN on SiCトランジスタ市場概観
・本レポートの特徴とメリット
・調査方法と情報源
　　調査方法
　　調査プロセス
　　基準年
　　レポートの前提条件と注意点

2 GaN on SiCトランジスタの世界市場規模
・GaN on SiCトランジスタの世界市場規模：2024年VS2031年
・GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高、展望、予測：2020年～2031年
・GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高：2020年～2031年

3 企業の概況
・グローバル市場におけるGaN on SiCトランジスタ上位企業
・グローバル市場におけるGaN on SiCトランジスタの売上高上位企業ランキング
・グローバル市場におけるGaN on SiCトランジスタの企業別売上高ランキング
・世界の企業別GaN on SiCトランジスタの売上高
・世界のGaN on SiCトランジスタのメーカー別価格（2020年～2024年）
・グローバル市場におけるGaN on SiCトランジスタの売上高上位3社および上位5社、2024年
・グローバル主要メーカーのGaN on SiCトランジスタの製品タイプ
・グローバル市場におけるGaN on SiCトランジスタのティア1、ティア2、ティア3メーカー
　　グローバルGaN on SiCトランジスタのティア1企業リスト
　　グローバルGaN on SiCトランジスタのティア2、ティア3企業リスト

4 製品タイプ別分析
・概要
　　タイプ別 – GaN on SiCトランジスタの世界市場規模、2024年・2031年
　　小型パワートランジスタ、大型パワートランジスタ
・タイプ別 – GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高と予測
　　タイプ別 – GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高、2020年～2024年
　　タイプ別 – GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高、2025年～2031年
　　タイプ別-GaN on SiCトランジスタの売上高シェア、2020年～2031年
・タイプ別 – GaN on SiCトランジスタの価格（メーカー販売価格）、2020年～2031年

5 用途別分析
・概要
　　用途別 – GaN on SiCトランジスタの世界市場規模、2024年・2031年
RFデバイス、パワーディスクリートデバイス
・用途別 – GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高と予測
　　用途別 – GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高、2020年～2024年
　　用途別 – GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高、2025年～2031年
　　用途別 – GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高シェア、2020年～2031年
・用途別 – GaN on SiCトランジスタの価格（メーカー販売価格）、2020年～2031年

6 地域別分析
・地域別 – GaN on SiCトランジスタの市場規模、2024年・2031年
・地域別 – GaN on SiCトランジスタの売上高と予測
　　地域別 – GaN on SiCトランジスタの売上高、2020年～2024年
　　地域別 – GaN on SiCトランジスタの売上高、2025年～2031年
　　地域別 – GaN on SiCトランジスタの売上高シェア、2020年～2031年
・北米
　　北米のGaN on SiCトランジスタ売上高・販売量、2020年～2031年
　　米国のGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　カナダのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　メキシコのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
・ヨーロッパ
　　ヨーロッパのGaN on SiCトランジスタ売上高・販売量、2020年〜2031年
　　ドイツのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　フランスのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　イギリスのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　イタリアのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　ロシアのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
・アジア
　　アジアのGaN on SiCトランジスタ売上高・販売量、2020年～2031年
　　中国のGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　日本のGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　韓国のGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　東南アジアのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　インドのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
・南米
　　南米のGaN on SiCトランジスタ売上高・販売量、2020年～2031年
　　ブラジルのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　アルゼンチンのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
・中東・アフリカ
　　中東・アフリカのGaN on SiCトランジスタ売上高・販売量、2020年～2031年
　　トルコのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　イスラエルのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　サウジアラビアのGaN on SiCトランジスタ市場規模、2020年～2031年
　　UAEGaN on SiCトランジスタの市場規模、2020年～2031年

7 主要メーカーのプロフィール
※掲載企業：RFHIC Corporation、 NXP Semiconductor、 Wolfspeed、 Ampleon、 Qorvo、 Gallium Semiconductor、 Macom、 Integra Technologies Inc、 BeRex、 Microchip Technology、 WAVICE、 Mitsubishi Electric、 United Monolithic Semiconductors

・Company A
　　Company Aの会社概要
　　Company Aの事業概要
　　Company AのGaN on SiCトランジスタの主要製品
　　Company AのGaN on SiCトランジスタのグローバル販売量・売上
　　Company Aの主要ニュース＆最新動向
・Company B
　　Company Bの会社概要
　　Company Bの事業概要
　　Company BのGaN on SiCトランジスタの主要製品
　　Company BのGaN on SiCトランジスタのグローバル販売量・売上
　　Company Bの主要ニュース＆最新動向
…
…

8 世界のGaN on SiCトランジスタ生産能力分析
・世界のGaN on SiCトランジスタ生産能力
・グローバルにおける主要メーカーのGaN on SiCトランジスタ生産能力
・グローバルにおけるGaN on SiCトランジスタの地域別生産量

9 主な市場動向、機会、促進要因、抑制要因
・市場の機会と動向
・市場の促進要因
・市場の抑制要因

10 GaN on SiCトランジスタのサプライチェーン分析
・GaN on SiCトランジスタ産業のバリューチェーン
・GaN on SiCトランジスタの上流市場
・GaN on SiCトランジスタの下流市場と顧客リスト
・マーケティングチャネル分析
　　マーケティングチャネル
　　世界のGaN on SiCトランジスタの販売業者と販売代理店

11 まとめ

12 付録
・注記
・クライアントの例
・免責事項

図一覧

・GaN on SiCトランジスタのタイプ別セグメント
・GaN on SiCトランジスタの用途別セグメント
・GaN on SiCトランジスタの世界市場概要、2024年
・主な注意点
・GaN on SiCトランジスタの世界市場規模：2024年VS2031年
・GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高：2020年～2031年
・GaN on SiCトランジスタのグローバル販売量：2020年～2031年
・GaN on SiCトランジスタの売上高上位3社および5社の市場シェア、2024年
・タイプ別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高
・タイプ別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高シェア、2020年～2031年
・タイプ別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高シェア、2020年～2031年
・タイプ別-GaN on SiCトランジスタのグローバル価格
・用途別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高
・用途別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高シェア、2020年～2031年
・用途別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高シェア、2020年～2031年
・用途別-GaN on SiCトランジスタのグローバル価格
・地域別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高、2024年・2031年
・地域別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高シェア、2020年 VS 2024年 VS 2031年
・地域別-GaN on SiCトランジスタのグローバル売上高シェア、2020年～2031年
・国別-北米のGaN on SiCトランジスタ市場シェア、2020年～2031年
・米国のGaN on SiCトランジスタの売上高
・カナダのGaN on SiCトランジスタの売上高
・メキシコのGaN on SiCトランジスタの売上高
・国別-ヨーロッパのGaN on SiCトランジスタ市場シェア、2020年～2031年
・ドイツのGaN on SiCトランジスタの売上高
・フランスのGaN on SiCトランジスタの売上高
・英国のGaN on SiCトランジスタの売上高
・イタリアのGaN on SiCトランジスタの売上高
・ロシアのGaN on SiCトランジスタの売上高
・地域別-アジアのGaN on SiCトランジスタ市場シェア、2020年～2031年
・中国のGaN on SiCトランジスタの売上高
・日本のGaN on SiCトランジスタの売上高
・韓国のGaN on SiCトランジスタの売上高
・東南アジアのGaN on SiCトランジスタの売上高
・インドのGaN on SiCトランジスタの売上高
・国別-南米のGaN on SiCトランジスタ市場シェア、2020年～2031年
・ブラジルのGaN on SiCトランジスタの売上高
・アルゼンチンのGaN on SiCトランジスタの売上高
・国別-中東・アフリカGaN on SiCトランジスタ市場シェア、2020年～2031年
・トルコのGaN on SiCトランジスタの売上高
・イスラエルのGaN on SiCトランジスタの売上高
・サウジアラビアのGaN on SiCトランジスタの売上高
・UAEのGaN on SiCトランジスタの売上高
・世界のGaN on SiCトランジスタの生産能力
・地域別GaN on SiCトランジスタの生産割合（2024年対2031年）
・GaN on SiCトランジスタ産業のバリューチェーン
・マーケティングチャネル

★当レポートに関するお問い合わせ先(購入・見積)★

■ 英文タイトル：GaN on SiC Transistor Market, Global Outlook and Forecast 2025-2031
■ レポートの形態：英文PDF
■ レポートコード：MON24MKT545251
■ 販売会社：H&Iグローバルリサーチ株式会社（東京都中央区）

■ お問い合わせフォーム ⇒ https://www.marketreport.jp/contact

GaN on SiCトランジスタは、ガリウムナイトライド（GaN）を用いたトランジスタ技術の一つであり、シリコンカーバイド（SiC）基板上に形成される電子デバイスです。このトランジスタは、その特性により、高効率、高出力、および高温動作が可能であり、主にパワーエレクトロニクスの分野での応用が期待されています。

GaNは、バンドギャップが広く、高い電子移動度を持つ半導体材料であり、その特性から高周波数や高電圧での動作が得意です。一方、SiCは高い熱伝導率を持ち、耐熱性に優れた基板素材であり、GaNと組み合わせることで、さらなる性能向上が図れます。GaN on SiCトランジスタは、特に電力変換装置、無線通信機器、および電動車両（EV）のパワー管理など、様々な分野で利用されています。

このトランジスタにはいくつかの種類があり、主にHEMT（High Electron Mobility Transistor）が代表的です。HEMTは、電子の移動度が非常に高い特性を持ち、効率的に電流を制御することができるため、高周波数の動作や高効率な電力変換が求められるアプリケーションでよく利用されます。また、トンネルジャンクションを組み込んだデバイスもあり、低オン抵抗と高速スイッチング性能を両立させることが可能です。

GaN on SiCトランジスタの用途は多岐にわたります。具体的には、再生可能エネルギーに関連するインバータや、電動車両の充電システム、データセンター向けの高効率パワーサプライ、通信基盤におけるパワーアンプなどがあります。また、特に5G通信や衛星通信においては、高周波数帯域での信号処理が求められるため、GaNトランジスタの重要性が増しています。

関連技術には、パワーエレクトロニクス、RF/MW技術、モジュール化技術、熱管理技術などがあります。パワーエレクトロニクス分野では、電力変換の効率を向上させるために、GaNトランジスタを使用した高性能インバータやコンバータが開発されています。また、RF/MW技術においては、GaNトランジスタを用いた高出力パワーアンプが、通信基地局やレーダーシステムで使用されており、その高い効率と出力特性が要求されます。

GaN on SiCトランジスタは、従来のシリコン（Si）ベースのトランジスタと比べて多くの利点がありますが、製造コストやプロセス技術の面でも課題が残っています。しっかりとした製造プロセスや材料開発が進むことで、今後さらにその普及率が高まると考えられています。このように、GaN on SiCトランジスタは、今後のテクノロジー革新に寄与する重要なデバイスとして位置づけられており、その将来性が高く評価されています。

本調査レポートは、GaN on SiCトランジスタ市場の包括的な分析を提供し、現在の動向、市場力学、将来の見通しに焦点を当てています。北米、欧州、アジア太平洋、新興市場などの主要地域を含む世界のGaN on SiCトランジスタ市場を調査しています。また、GaN on SiCトランジスタの成長を促進する主な要因、業界が直面する課題、市場プレイヤーの潜在的な機会についても考察しています。

世界のGaN on SiCトランジスタ市場は、2024年にxxxx米ドルと評価され、予測期間中に年平均成長率xxxx%で、2031年までにxxxx米ドルに達すると予測されています。

*** 主な特徴 ***

GaN on SiCトランジスタ市場に関する本調査レポートには、包括的なインサイトを提供し、関係者の意思決定を支援するためのいくつかの主要な特徴が含まれています。

[エグゼクティブサマリー]
GaN on SiCトランジスタ市場の主要な調査結果、市場動向、主要なインサイトの概要を提供しています。

[市場概要]
当レポートでは、GaN on SiCトランジスタ市場の定義、過去の推移、現在の市場規模など、包括的な概観を提供しています。また、タイプ別（小型パワートランジスタ、大型パワートランジスタ）、地域別、用途別（RFデバイス、パワーディスクリートデバイス）の市場セグメントを網羅し、各セグメントにおける主要促進要因、課題、機会を明らかにしています。

[市場ダイナミクス]
当レポートでは、GaN on SiCトランジスタ市場の成長と発展を促進する市場ダイナミクスを分析しています。政府政策や規制、技術進歩、消費者動向や嗜好、インフラ整備、業界連携などの分析データを掲載しています。この分析により、関係者はGaN on SiCトランジスタ市場の軌道に影響を与える要因を理解することができます。

[競合情勢]
当レポートでは、GaN on SiCトランジスタ市場における競合情勢を詳細に分析しています。主要市場プレイヤーのプロフィール、市場シェア、戦略、製品ポートフォリオ、最新動向などを掲載しています。

[市場細分化と予測]
当レポートでは、GaN on SiCトランジスタ市場をタイプ別、地域別、用途別など様々なパラメータに基づいて細分化しています。定量的データと分析に裏付けされた各セグメントごとの市場規模と成長予測を提供しています。これにより、関係者は成長機会を特定し、情報に基づいた投資決定を行うことができます。

[技術動向]
本レポートでは、GaN on SiCトランジスタ市場を形成する主要な技術動向（タイプ1技術の進歩や新たな代替品など）に焦点を当てます。これらのトレンドが市場成長、普及率、消費者の嗜好に与える影響を分析します。

[市場の課題と機会]
技術的ボトルネック、コスト制限、高い参入障壁など、GaN on SiCトランジスタ市場が直面する主な課題を特定し分析しています。また、政府のインセンティブ、新興市場、利害関係者間の協力など、市場成長の機会も取り上げています。

[規制・政策分析]
本レポートは、政府のインセンティブ、排出基準、インフラ整備計画など、GaN on SiCトランジスタ市場に関する規制・政策状況を分析しました。これらの政策が市場成長に与える影響を分析し、今後の規制動向に関する洞察を提供しています。

[提言と結論]
このレポートは、消費者、政策立案者、投資家、インフラストラクチャプロバイダーなどの利害関係者に対する実用的な推奨事項で締めくくられています。これらの推奨事項はリサーチ結果に基づいており、GaN on SiCトランジスタ市場内の主要な課題と機会に対処する必要があります。

[補足データと付録]
本レポートには、分析と調査結果を実証するためのデータ、図表、グラフが含まれています。また、データソース、調査アンケート、詳細な市場予測などの詳細情報を追加した付録も含まれています。

*** 市場区分 ****

GaN on SiCトランジスタ市場はタイプ別と用途別に分類されます。2019年から2031年までの期間において、セグメント間の成長により、タイプ別、用途別の市場規模の正確な計算と予測を提供します。

■タイプ別市場セグメント
小型パワートランジスタ、大型パワートランジスタ

■用途別市場セグメント
RFデバイス、パワーディスクリートデバイス

■地域別・国別セグメント
北米
米国
カナダ
メキシコ
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
アジア
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
南米
ブラジル
アルゼンチン
中東・アフリカ
トルコ
イスラエル
サウジアラビア
アラブ首長国連邦

*** 主要メーカー ***

RFHIC Corporation、 NXP Semiconductor、 Wolfspeed、 Ampleon、 Qorvo、 Gallium Semiconductor、 Macom、 Integra Technologies Inc、 BeRex、 Microchip Technology、 WAVICE、 Mitsubishi Electric、 United Monolithic Semiconductors

*** 主要章の概要 ***

第1章：GaN on SiCトランジスタの定義、市場概要を紹介

第2章：世界のGaN on SiCトランジスタ市場規模

第3章：GaN on SiCトランジスタメーカーの競争環境、価格、売上高、市場シェア、最新の開発計画、M&A情報などを詳しく分析

第4章：GaN on SiCトランジスタ市場をタイプ別に分析し、各セグメントの市場規模と発展可能性を掲載

第5章：GaN on SiCトランジスタ市場を用途別に分析し、各セグメントの市場規模と発展可能性を掲載

第6章：各地域とその主要国の市場規模と発展可能性を定量的に分析

第7章：主要企業のプロフィールを含め、企業の販売量、売上、価格、粗利益率、製品紹介、最近の開発など、市場における主要企業の基本的な状況を詳しく紹介

第8章世界のGaN on SiCトランジスタの地域別生産能力

第9章：市場力学、市場の最新動向、推進要因と制限要因、業界のメーカーが直面する課題とリスク、業界の関連政策を分析

第10章：産業の上流と下流を含む産業チェーンの分析

第11章：レポートの要点と結論

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